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可控硅坏的缘由有哪些呢

2022-08-17 03:00:00 来源:http://www.combat-elec.com/news854175.html

可控硅坏的缘由有哪些呢:

1、电压击穿

可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降落或被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏

电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。


3、电流上升率损坏

其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极左近或就在控制极上。

4、边缘损坏

他发作在芯片外圆倒角处,有细小光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家装置不慎所形成的。它招致电压击穿。

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