可控硅坏的缘由有哪些呢:
1、电压击穿
可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降落或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏
电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏
其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极左近或就在控制极上。
4、边缘损坏
他发作在芯片外圆倒角处,有细小光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家装置不慎所形成的。它招致电压击穿。
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