MOS管的主要参数如下

MOS管的主要参数如下：

1.栅源击穿电压BVGS-VGS当栅极电流IG从零开始急剧增加的过程中，栅源电压增加，这就是所谓的栅源击穿电压BVGS。

2.导通电压VT-导通电压(也称阈值电压):使源极S和漏极D之间的始端构成导通的沟道；-标准N  沟道MOS晶体管所需的栅极电压，VT约为3 ~ 6V-经过工艺改进，MOS晶体管的VT值可降至2 ~ 3V。3.漏源击穿电压BVDS-在VGS=0的条件下(增强型)，VDS当ID开始急剧增加的过程中漏源电压中被称为漏源击穿电压BVDS-ID。增长有两个原因：

(1)漏极左侧附近耗尽层的雪崩击穿。

4.DC输入电阻RGS——即施加在栅极和源极之间的电压与栅极电流之比——这一特性有时用流经金属氧化物半导体晶体管栅极RGS的栅极电流来表示，很容易超过1010。

5.低频跨导GM——在VDS为固定值的条件下，引起这种变化的漏极电流微变量与栅源电压微变量之比称为跨导——GM反映栅源电压对漏极电流的控制能力——它是表征MOS晶体管放大能力的一个重要参数——通常在几到几mA/V的范围内。