MOS管道的工作原理是什么呢

它是利用VGS控制感应电荷的数量，改变这些感应电荷形成的导电沟的状态，然后控制漏极电流目的。制造管道时，绝缘层中出现大量正离子，因此交界面另一侧可以感应到更多的负电荷，使高渗杂质N即使连接，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压发生变化时，感应电荷也会发生变化，导电沟的宽度也会发生变化，因此漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。MOS管道原理图。

无论N型或者P型MOS工作原理的本质是一样的。MOS输出端漏极的电流由添加到输入端栅极的电压控制。MOS管道是一种压力控制装置。它不会像加在栅极上的电压控制装置那样发生三极管做开关在开关应用中，MOS开关速度应比三极管快。

MOS管道的内部结构如下图所示；电时只有一个极性载流子(多子)参与导电，是单极晶体管。导电机制和小功率MOS管道相同，但结构差异较大，功率小MOS管道为横向导电器件，功率MOSFET大多采用垂直导电结构，又称垂直导电结构VMOSFET，大大提高了MOSFET设备的耐压性和耐电流性。

MOS管道的输入输出特性，对于共源极接法的电路，源极与衬底被二氧化硅绝缘层隔离，因此栅极电流为0。